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可靠性試驗失效分析中的破壞性物理分析和顯微分析方法 集成電路產的另外一個名字是微電子。從這點可以看出集成電路是在很小的尺寸上進行產生的。短短十年之間，微電子器件的尺寸從原來的微米量級逐步縮小，到亞微米，深亞微米，再到今天的納米量級。隨之變化

可靠性試驗封裝失效分析的流程 為了提高微電子產品的可靠性，就應研究生產封裝失效的原因。通過失效模式的確定，深入分析失效的機理，討論并提出防止失效的方法。所以失效分析的一般路程： 1．數據的收集與分析。在完成現場失效數據收集報告和使用者報告后，

可靠性試驗芯片失效分析的主要步驟和內容 1．芯片開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析試驗做準備。 2．SEM掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組

芯片封裝的可靠性試驗失效分析 失效的分類 在電子元器件的失效物理與失效分析中，常用的失效類型有以下幾種： 1．從失效率浴盆曲線區(qū)分 在大量電子元器件的使用及試驗中，獲得了大量失效率(t)(元器件在t時刻尚未失效，在t時刻后的單位時間內發(fā)生失效的概率)

的數據分析與處理 可靠性試驗的數據分析方法 可靠性試驗的數據分析的基礎就是產品壽命分布函數及參量之間的關系。例如故障與應力（電、熱、振動、溫度等）的對應關系；故障與產品早期性能變化的規(guī)律等，這些包含有兩個變量的數據，在分析時就可用相關及回歸